抛光液
芯片抛光液
化学机械抛光(CMP)是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液又是 CMP 工艺中的最核心的材料。根据抛光对象不同，新创纳公司开发出对应氧化硅介电材料、钨、多晶硅、GST 相变材料、铜及铜阻挡层的抛光液。抛光液中最关键的材料由公司自主研发生产，拥有从磨料到配方全工序的调节能力和产品定制化的条件。可为客户提供优质，稳定的服务和供应。
专注CMP抛光液20+年
核心磨料自研自产
化学机械抛光(CMP)是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液又是 CMP 工艺中的最核心的材料。根据抛光对象不同，新创纳公司开发出对应氧化硅介电材料、钨、多晶硅、GST 相变材料、铜及铜阻挡层的抛光液。抛光液中最关键的材料由公司自主研发生产，拥有从磨料到配方全工序的调节能力和产品定制化的条件。可为客户提供优质，稳定的服务和供应。
氧化硅抛光液 DI-109
TEOS 的RR可达到4500A/min，并可通过下压力和稀释射频进行调节；300毫米晶圆边缘去除3毫米时，不均匀度小于3%。
稀释比：1:4~1:9
金属离子含量：Cl<5ppm，B<1ppm，Na<1ppm，Mg<1ppm，Al<1ppm，Ca<0.5ppm，Ti<0.25ppm，Cr<1ppm，Fe<1ppm，Ni<1ppm，Cu<0.1ppm，Zn<0.1ppm，Zr＜0.1ppm
多晶硅抛光液 Poly-306
CMP后薄膜应能保持在适当位置；无残留金属离子且缺陷极少
指标：稀释比：1:4
金属离子含量：Na≤500(ppb)，Mg≤100(ppb)，Al≤100(ppb)，K≤120(ppb)，Ca≤500(ppb)，Ti≤100（ppb），Cr≤100(ppb)，Mn≤100(ppb)，Fe≤100(ppb)，Ni≤100(ppb)，Cu≤100(ppb)，Zn≤100(ppb)，Zr≤100(ppb)，Ag≤100(ppb)，Pb≤100(ppb)
铜抛光液 HC-WF001B
中性的高纯胶体二氧化硅； 高且可调的铜去除率；高选择比(Cu/TaN, Cu/TEOS)；易清洗，低侵蚀；无腐蚀，缺陷低；优秀的表面光洁度，低 Ra；保质期长；环境友好型化学品
指标：Cu/TaN 和 Cu/TEOS选择比:>2000
稀释比：4x
铜阻挡层(TaN/Ta)抛光液
碱性的高纯胶体二氧化硅；高且可调的 Ta/TaN 去除率；易清洗，低侵蚀，不易残留化学品；无腐蚀，缺陷低；优秀的表面光洁度，低 Ra；保质期长，抛光液寿命长；环境友好型化学品
TaN/Ta 与 Cu 选择比：>2
稀释比(体积比)：1L 抛光液：5mL 双氧水（30%）
金属离子含量：K<3500ppm，Na<25ppm，Al<1ppm，Cu<1ppm，Mg<1ppm，Cr<1ppm，Mn<1ppm，Fe<1ppm，Ni<1ppm，Zn<1ppm，Cd<1ppm，Sb<1ppm，Pb＜1ppm，Ti＜1ppm，Co＜1，Ca＜1 重金属（除K，Na外）总含量＜2
1、包装方式：25KG、250KG
2、保存条件：贮存温度为5-40℃